Samsung Kalahkan TSMC dengan Chipset GAA 3nm

Technologue.id, Jakarta - Samsung dikabarkan menjadi yang pertama yang mulai mengirimkan chipset GAA 3nm mengalahkan saingannya yaitu TSMC. Tidak hanya menjadi yang pertama dengan mengirimkan chip 3nm, tapi Samsung juga menjadi yang pertama mengirimkan chip ini yang dillengkapi dengan transistor GAA atau gate-all-around.

Dengan adanya GAA, maka akan ada lebih banyak kontrol atas aliran arus yang menhasilkan efisiensi daya yang lebih besar.

TSMC masih menggunakan desain transistor FinFET generasi sebelumnya untuk SoC 3nmnya yang akan mulai dikirimkan pada paruh kedua tahun ini.

Sementara, pengecoran independen terkemuka di dunia akan mulai menggunakan GAA dengan simpul proses 2nm yang diharapkan dapat mulai dikirimkan ke pelanggan pada tahun 2026.

Samsung tampak sangat semangat untuk dapat mengalahkan TSMC dengan pengiriman 3nm-nya.

Hal tersebut dapt dilihat dari perusahaan tersebut yang mengadakan upacara di Kampus Hwaseong, di Gyeonggi-do, yang dihadiri oleh beberapa eksekutif Samsung dan politisi Korea.

Batch pertama dari SoC 3nm tidak dikirim ke produsen smartphone. Sebagai gantinya, mereka akan digunakan dalam peralatan yang digunakan oleh penambang cryptocurrency, dengan GAA 3nm baru yang memungkinkan pengurangan besar dalam konsumsi daya.

Samsung adalah yang pertama mulai mengirimkan chipset GAA 3nm yang menggantikan chip FinFET 5nm generasi sebelumnya, sumber: phonearena.com

Pada akhirnya, node proses GAA 3nm akan digunakan untuk memproduksi chip smartphone termasuk Exynos 2300 milik Samsung sendiri dan mungkin juga SoC Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2.

Proses node GAA 3nm akan mengurangi konsumsi daya hingga 45% dan meningkatkan kinerja sebanyak 23% jika dibandingkan dengan node 5nm.

Varian generasi kedua dari chip GAA 3nm diharapkan dapat mengurangi konsumsi energi hingga 50%, dan meningkatkan kinerja hingga 30%.

Apa ini dapat diartikan bagi pengguna akan adanya ketersediaan yang lebih kuat dengan masa pakai baterai yang lebih baik.

Dilansir dari Phone Arena (26/7), dalam rilisnya, Samsung mengatakan, pada tanggal 25, Samsung Electronics mengadakan upacara pengiriman produk pengecoran 3nm menggunakan teknologi transistor GAA (Gate All Around) generasi berikutnya di jalur V1 (khusus EUV) di Kampus Hwaseong, Gyeonggi-do.

Acara ini dihadiri oleh sekitar 100 orang termasuk Menteri Perdagangan, Industri dan Energi Changyang Lee, pemasok, fabels, kepala divisi Samsung Electronics DS, Kyeong-hyeon Kye (Presiden), dan para eksekutif dan karyawan, serta mendorong para eksekutif dan karyawan yang berpartisipasi dalam 3nm R&D GAA dan produksi massal."

Contact Information